一、天津催化领域1、天津用于原位揭示增强催化活性的二维杂化超晶格电催化微器件的研究 分子限制的二维（2D）杂化超晶格材料，由于可用于揭示化学性质以及由界面电子态引起的独特物理现象，引起了人们的广泛关注。

纳米线器件的响应度（R）为125mAW-1，宝坻变电快速上升/下降的时间为0.7/0.8ms。图三、区5千伏渠阳薄膜和纳米线阵列的性能测试（a-b）薄膜和纳米线阵列的AFM图像和表面电势。

站预（c）最终设备的SEM图像。通过优化前体溶剂的浓度，日投使晶体生长受到模板通道的限制，从而提高晶体质量和稳定性。产送这项工作为横向钙钛矿异质结光电器件的应用开辟了新途径。

天津（f）R和光强度之间的关系。宝坻变电（e）薄膜和纳米线阵列器件的I-V曲线

（b-d）由不同前体浓度制备的纳米线阵列的XRD、区5千伏渠阳TRPL和开关曲线。

然而，站预由电荷传输层和顶部电极组成的垂直器件会导致入射光的损失和界面的大量缺陷，进而降低器件性能。要定期给猫梳毛，日投每周至少给猫咪梳理两次毛。

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